Huis
Producten
fabrikanten
Over DiGi
Neem contact met ons op
Blogs en Berichten
Aanvraag/offerte
Belgium
Aanmelden
Selectieve Taal
Huidige taal van uw keuze:
Belgium
Schakel:
Engels
Europa
Verenigd Koninkrijk
Frankrijk
Spanje
Turkije
Moldavië
Litouwen
Noorwegen
Duitsland
Portugal
Slowakije
Italië
Finland
Russisch
Bulgarije
Denemarken
Estland
Polen
Oekraïne
Slovenië
Tsjechisch
Grieks
Kroatië
Israël
Servië
Wit-Rusland
Nederland
Zweden
Montenegro
Baskisch
IJsland
Bosnië
Hongaars
Roemenië
Oostenrijk
België
Ierland
Azië / Stille Oceaan
China
Vietnam
Indonesië
Thailand
Laos
Filipijns
Maleisië
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabië
Qatar
Koeweit
Cambodja
Myanmar
Afrika, India en het Midden-Oosten
Verenigde Arabische Emiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
India
Iran
DR Congo
Zuid-Afrika
Egypte
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesië
Zuid-Amerika / Oceanië
Nieuw-Zeeland
Angola
Brazilië
Mozambique
Peru
Colombia
Chili
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentinië
Paraguay
Australië
Noord-Amerika
Verenigde Staten
Haïti
Canada
Costa Rica
Mexico
Over DiGi
Over ons
Over ons
Onze Certificeringen
DiGi Introductie
Waarom DiGi
Beleid
Kwaliteitsbeleid
Gebruiksvoorwaarden
RoHS-naleving
Retourproces
Hulpbronnen
Productcategorieën
fabrikanten
Blogs en Berichten
Diensten
Kwaliteitsgarantie
Betaalmethode
Wereldwijde Verzending
Verzendtarieven
Veelgestelde vragen
Fabrikant Productnummer:
IPI032N06N3 G
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IPI032N06N3 G-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Voorraad:
Offerte Aanvragen Online
12803633
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
*
Bedrijf
*
Contactnaam
*
Telefoon
*
E-mail
Leveringsadres
Bericht
(
*
) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IPI032N06N3 G Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
-
Reeks
OptiMOS™
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
60 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
3.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 118µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
165 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
13000 pF @ 30 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
188W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
PG-TO262-3
Pakket / Doos
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis productnummer
IPI032N
Datasheet & Documenten
Technische fiches
IPx029N06N3 G
Datasheets
IPI032N06N3 G
HTML Gegevensblad
IPI032N06N3 G-DG
Aanvullende informatie
Standaard pakket
500
Andere namen
SP000451490
IPI032N06N3G
IPI032N06N3 G-DG
Milieu- en Exportclassificatie
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
FDI030N06
Fabrikant
onsemi
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
0
DEELNUMMER
FDI030N06-DG
EENHEIDSPRIJS
2.27
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DEELNUMMER
PSMN2R0-60ES,127
Fabrikant
NXP Semiconductors
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
7334
DEELNUMMER
PSMN2R0-60ES,127-DG
EENHEIDSPRIJS
1.30
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DEELNUMMER
IRFSL3206PBF
Fabrikant
Infineon Technologies
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
1600
DEELNUMMER
IRFSL3206PBF-DG
EENHEIDSPRIJS
1.22
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IPD90N03S4L03ATMA1
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
IRF5803D2TR
MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO
IRF7401TRPBF
MOSFET N-CH 20V 8.7A 8SO
IRF7707TRPBF
MOSFET P-CH 20V 7A 8TSSOP